天津大学纳米中心半导体石墨烯研究取得新突破

尚怡达人 2024-01-14

　　本报天津1月7日电（记者武少民）记者近日从天津大学获悉：天津大学天津纳米颗粒与纳米系统国际研究中心的马雷教授研究团队研究成果《碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯》，成功攻克长期以来阻碍石墨烯电子学发展的关键技术难题，打开了石墨烯带隙。这一突破被认为是开启石墨烯芯片制造领域大门的重要里程碑。该项成果已在《自然》杂志网站上在线发布。 　　据马雷介绍，石...